我们为全球各个行业提供Diodes DMN31D6UT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高效能与微型化的功率开关解决方案吗？DMN31D6UT-7 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它能在仅2.5V的低驱动电压下高效导通，让您轻松驾驭30V、350mA以内的负载，显著降低系统功耗与发热，特别适合电池供电的便携设备。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计在寸土寸金的PCB上实现可靠的功率切换与控制。其超低的导通电阻与栅极电荷，确保了快速的开关响应与极低的能量损耗，直接提升终端产品的续航与性能。无论是智能穿戴设备的马达驱动，还是物联网传感器的电源路径管理，它都能让您的系统运行得更冷静、更持久、更高效。

• 型号:DMN31D6UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13.6 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN31D6UT-7，Diodes产品一站式供应商。