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还在寻找一颗能兼顾高性能与小体积的开关解决方案吗？DMN3200U-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和2.2A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅90毫欧@4.5V），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用行业标准的SOT-23-3超小型封装，非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，DMN3200U-7都能让您以更小的空间占用，实现更可靠的电路控制，轻松提升产品的整体能效和可靠性。

• 型号:DMN3200U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:650mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3200U-7，Diodes产品一站式供应商。