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您是否希望用一个芯片解决两个开关问题，同时大幅节省电路板空间？DMN3270UVT-13正是为您而来的高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，将两个性能优异的30V开关集成于微型TSOT-26封装内，让您轻松实现高密度布局设计。

它拥有低至270毫欧的导通电阻和1.6A的连续电流能力，能显著降低功率损耗和发热，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是驱动小型电机、控制LED阵列还是管理电源路径，它都能让您的设计更加简洁可靠。其符合AEC-Q101的汽车级品质和宽广的工作温度范围，更确保了在各类严苛环境下的稳定表现。

• 型号:DMN3270UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 40A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.07nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:161pF @ 15V
• 功率 - 最大值:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN3270UVT-13，Diodes产品一站式供应商。