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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN32D2LDF-7双N沟道MOSFET阵列，正是为您的高密度设计而生。它采用超紧凑的SOT-353封装，却集成了两个独立的30V/400mA MOSFET，让您能以极小的空间占用，实现高效的负载开关与信号路径管理。

这颗芯片的核心价值在于“高效控制”。其逻辑电平门控特性（Vgs(th)最大仅1.2V）让您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驱动，无需复杂的电平转换电路，大大简化了您的设计。同时，低至1.2欧姆的导通电阻确保了开关过程中的功率损耗最小化，让您的系统运行更凉爽，电池续航更持久。

无论是用于便携设备的电源管理，还是消费电子中的信号切换，DMN32D2LDF-7都能让您的设计事半功倍。选择它，就是选择了一条通往更精简、更可靠、更具成本效益产品方案的捷径。

• 型号:DMN32D2LDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-353
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共源
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:39pF @ 3V
• 功率 - 最大值:280mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
• 供应商器件封装:SOT-353
• DMN32D2LDF-7，Diodes产品一站式供应商。