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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN32D2LV-7双N沟道MOSFET阵列就是为您解忧的微型动力引擎。它让您能在极其紧凑的SOT-563封装内，轻松获得两个独立的30V/400mA开关通道，直接由微控制器逻辑电平驱动，省去复杂电路，实现高效、简洁的负载控制。

这颗芯片专为提升您的产品能效而生。其1.2V的低阈值电压和微小的输入电容，意味着更低的驱动功耗和更快的开关速度，特别适合电池供电的便携设备。无论是管理背光、电机还是信号切换，DMN32D2LV-7都能以出色的热性能和可靠性，确保您的系统运行更稳定、续航更长久。

• 型号:DMN32D2LV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:39pF @ 3V
• 功率 - 最大值:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN32D2LV-7，Diodes产品一站式供应商。