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还在寻找能完美平衡性能与尺寸的双路开关解决方案吗？DMN32D4SDW-13双N沟道MOSFET阵列，正是为您的高密度PCB设计而生。它集成了两个独立的30V/650mA MOSFET于微小的SOT-363封装内，让您轻松实现电路功能倍增，而占用空间却大幅缩减。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至400毫欧的导通电阻和仅1.3nC的栅极电荷，为您带来极高的开关效率和极快的响应速度。这意味着它能显著降低导通损耗，提升系统能效，同时让您的MCU可以更轻松、更高效地驱动它，简化外围电路设计。无论是用于负载开关、电源切换还是信号路由，它都能确保稳定可靠的性能，助您打造出更紧凑、更节能、更具竞争力的新一代电子产品。

• 型号:DMN32D4SDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):650mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 15V
• 功率 - 最大值:290mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN32D4SDW-13，Diodes产品一站式供应商。