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还在为空间有限的电路设计寻找高效、可靠的开关解决方案吗？DMN33D8LDW-7双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它能以极低的导通电阻和栅极电荷，为您实现高效的电能控制与信号切换，显著降低功耗与发热，让您的便携式设备续航更持久、运行更凉爽。

这颗芯片集成了两个独立的30V MOSFET通道，每通道可连续处理高达250mA的电流，并支持低至1.5V的驱动电压，让您轻松应对电池供电场景下的各种负载管理挑战。其超紧凑的SOT-363封装，能帮助您最大化利用宝贵的PCB空间，实现更精巧、更强大的产品设计。

• 型号:DMN33D8LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.23nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48pF @ 5V
• 功率 - 最大值:350mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN33D8LDW-7，Diodes产品一站式供应商。