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您正在寻找一颗能轻松集成到最紧凑空间，同时驱动效率不打折扣的MOSFET吗？DMN33D8LTQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和115mA的驱动能力，却能安身于微小的SOT-523封装内，让您的高密度电路设计游刃有余。

它的魅力在于极致的易用性与高效能。仅需2.5V的低电压即可有效驱动，让您能轻松连接各类MCU，简化电路设计。同时，其低至5欧姆的导通电阻和微不足道的栅极电荷，确保了开关动作既快速又节能，显著提升系统整体效率。无论是用于便携设备的电源开关，还是精密仪器的信号选通，它都能可靠、精准地完成任务。

更重要的是，它出身于汽车级AEC-Q101认证系列，具备从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，为您产品的稳定性和耐用性提供了坚实保障。选择DMN33D8LTQ-7，就是为您的项目选择了一颗强大而可靠的心脏。

• 型号:DMN33D8LTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN33D8LTQ-7，Diodes产品一站式供应商。