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还在寻找一颗能同时搞定两路高效开关，且体积小巧的“全能选手”吗？DMN3401LDW-13正是为您而来！这颗双N沟道MOSFET阵列，能轻松承载高达800mA的电流，并以低至400毫欧的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更清凉。

它拥有30V的耐压和优异的开关性能（栅极电荷仅1.2nC），让您能高效、快速地控制电源或信号通路。无论是用于电池管理、负载开关还是信号隔离，它都能出色完成任务。其SOT-363超小封装，为您在寸土寸金的PCB上节省出宝贵空间，是设计紧凑型消费电子和IoT设备的理想选择。

• 型号:DMN3401LDW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 15V
• 功率 - 最大值:290mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN3401LDW-13，Diodes产品一站式供应商。