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DMN3401LDW-7 零件图片(仅供参考)

DMN3401LDW-7
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DMN3401LDW-7 规格参数

还在为复杂的双路开关电路占用大量板级空间而烦恼吗?DMN3401LDW-7双N通道MOSFET阵列就是为您量身打造的集成化答案。它将两个高性能的开关单元浓缩于极致的SOT-363封装内,让您轻松实现紧凑、高效的电路设计,彻底解放您的布局想象力。

这颗芯片能为您做什么?它让您以极小的空间代价,获得强大的控制能力。其30V的耐压和800mA的连续电流处理能力,足以应对大多数便携设备和模块的功率切换需求。超低的导通电阻与栅极电荷意味着更少的能量损耗和更快的开关速度,直接提升您产品的整体能效与响应性能。无论是管理电池供电路径,还是驱动小型负载、进行信号切换,它都能让您的系统运行得更冷静、更持久。

  • 型号:DMN3401LDW-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 590mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:290mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • DMN3401LDW-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN3401LDW-7 基本参数:

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