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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？让DMN3730U-7来为您解决！这颗采用紧凑SOT-23封装的N沟道MOSFET，是您实现高效电源管理与信号切换的利器。它能在30V电压下提供750mA的强劲电流，同时凭借低至460毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗，直接提升您设备的整体能效和续航能力。

更令人心动的是，它拥有优异的开关特性。仅需1.8V的低驱动电压即可高效导通，轻松匹配各类微控制器，让您的设计更简单。其快速的开关速度和低栅极电荷，确保了响应迅捷，性能稳定。无论是用于便携设备的负载开关、电机驱动，还是精密的电源分配，DMN3730U-7都能让您以更小的空间占用，获得更卓越、更可靠的性能表现。

• 型号:DMN3730U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3730U-7，Diodes产品一站式供应商。