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您正在设计一款需要极致小巧与高效能并存的电子产品吗？DMN3730UFB4-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您提供高达750mA的负载开关能力，并在仅4.5V的驱动电压下实现低至460毫欧的导通电阻，这意味着它能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

得益于其超低的栅极电荷和输入电容，它能实现快速、干净的开关动作，非常适合用于需要精密控制的电源管理、信号路径切换或LED调光电路中。其1.8V的低阈值驱动电压，让您能轻松地与各种现代低功耗微控制器直接连接，简化设计，提升系统响应速度。选择它，就是为您的紧凑型设计注入一颗高效、可靠的“心脏”。

• 型号:DMN3730UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3730UFB4-7，Diodes产品一站式供应商。