我们为全球各个行业提供Diodes DMN3730UFB4-7B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要精密电源控制的新一代便携设备或汽车电子模块吗？DMN3730UFB4-7B正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅1.8V的低电压下高效驱动，轻松控制高达750mA的负载电流，其卓越的开关特性让您的系统运行更迅捷、更节能。

它采用超紧凑的3DFN封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和符合汽车级AEC-Q101标准的高可靠性，让您无论是应对严苛的车规环境还是追求极致的消费电子应用，都能信心十足。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让产品更出色的高效路径。

• 型号:DMN3730UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:64.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3730UFB4-7B，Diodes产品一站式供应商。