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还在为寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的MOSFET而烦恼吗？让DMN3731U-7来为您排忧解难！这颗N沟道MOSFET是专为高效开关应用而生的能手，它能以极低的导通损耗（仅460毫欧@4.5V）处理高达900mA的电流，让您的电源路径管理变得前所未有的高效。

它最大的魅力在于其卓越的驱动特性。仅需1.8V的低电压即可完全开启，让您能轻松兼容各类低压微控制器和逻辑电路，简化您的系统设计。同时，超低的栅极电荷确保了快速的开关切换，能显著提升您的电路响应速度，减少开关损耗，从而让整个系统运行得更凉爽、更持久。

无论是用于便携设备的负载开关、DC-DC转换器，还是电机驱动等精密控制，DMN3731U-7都能凭借其30V的耐压、宽广的工作温度范围和微小的SOT-23封装，为您提供一个可靠、紧凑且高效的解决方案，助您轻松打造更具竞争力的产品。

• 型号:DMN3731U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN3731U-7，Diodes产品一站式供应商。