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还在为空间受限的设计中寻找一颗既小巧又强力的开关解决方案而烦恼吗？DMN3900UFA-7B正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET能在仅1.8V的低驱动电压下高效导通，轻松驾驭30V电压和550mA的电流，让您的便携设备、传感器模块或消费电子实现精准、高效的电源与信号控制。

得益于其超低的导通电阻和栅极电荷，它能显著减少开关损耗和发热，直接提升您的终端产品的整体能效与续航时间。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和紧凑的表面贴装封装，确保了它在各种苛刻环境与高密度板卡布局中的卓越可靠性与适应性。

• 型号:DMN3900UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:760 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3900UFA-7B，Diodes产品一站式供应商。