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还在为寻找一颗既能扛大电流、又易于驱动且体积小巧的MOSFET而烦恼吗？DMN4008LFG-7正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和14.4A的连续电流能力，其核心价值在于仅7.5毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松实现高频开关设计。得益于低至74nC的栅极电荷和优化的开关特性，它能显著减少开关过程中的能量损失，提升整体能效。无论是同步整流、负载开关还是电机控制，它都能以出色的性能和PowerDI3333-8封装带来的卓越散热能力，确保您的设计稳定可靠，助您轻松攻克能效与空间的双重挑战。

• 型号:DMN4008LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3537 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN4008LFG-7，Diodes产品一站式供应商。