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还在为功率转换效率不高而烦恼吗？DMN4010LFG-7正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和11.5A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅12毫欧@10V），能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和续航时间。

它采用小巧但散热出色的PowerDI3333-8封装，轻松融入高密度PCB布局，节省宝贵空间。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下稳定工作，大大增强了您产品的可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:DMN4010LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:930mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN4010LFG-7，Diodes产品一站式供应商。