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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？DMN4015LK3-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达13.5A的电流和40V的电压，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅15毫欧@10V），这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的TO-252-3封装，易于焊接且散热良好，宽温工作范围（-55°C至150°C）确保其在各种环境下稳定如一。优化的栅极特性让驱动电路设计更简单，帮助您快速实现稳定可靠的系统性能。选择DMN4015LK3-13，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:DMN4015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2072 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.19W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN4015LK3-13，Diodes产品一站式供应商。