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还在为寻找一颗既能承受大电流又易于驱动的MOSFET而烦恼吗？DMN4026SSDQ-13正是为您量身打造的解决方案。这颗双N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达7A的连续电流能力，其逻辑电平门设计让您能够直接用微控制器或低压逻辑电路轻松驱动，极大地简化了您的电路设计。

更令人惊喜的是，它在6A电流、10V栅极电压下的导通电阻低至仅24毫欧，这意味着更低的导通损耗和更出色的散热表现，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，它都能以卓越的性能和可靠的稳定性，助您轻松实现产品升级。

• 型号:DMN4026SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN4026SSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。