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还在寻找一颗能同时兼顾高效、易用与紧凑的功率开关解决方案吗？DMN4027SSD-13正是为您而设计。这颗双N沟道MOSFET拥有40V耐压和5.4A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅27毫欧）和逻辑电平门驱动，让您能够轻松地用微控制器直接驱动，大幅简化电路设计，提升整体系统效率。

它专为空间敏感型应用优化，采用标准的8-SOIC表面贴装封装，能完美融入您的紧凑PCB布局。无论是用于提升电源转换效率，还是实现精准的电机控制与负载开关，它都能以卓越的热性能和稳定的工作表现，助您打造更可靠、更具竞争力的产品。选择DMN4027SSD-13，就是选择了一条通往高效能、高可靠性设计的捷径。

• 型号:DMN4027SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:604pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN4027SSD-13，Diodes产品一站式供应商。