我们为全球各个行业提供Diodes DMN4027SSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能高效、可靠控制功率通断的“开关”吗？DMN4027SSS-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET就像一个反应敏捷、损耗极低的电子阀门，能在高达40V的电压下顺畅控制6A的电流。其核心魅力在于仅需4.5V至10V的驱动电压，便能实现超低的导通电阻（最低27毫欧），这意味着它能显著减少开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统效率，并简化驱动电路设计。

更令人安心的是，它能在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，并采用节省空间的8-SO表面贴装封装。无论是用于提升电源转换效率，还是驱动电机、LED等负载，DMN4027SSS-13都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更持久。选择它，就是为您的产品注入一份经久耐用的高效动能。

• 型号:DMN4027SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:604 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN4027SSS-13，Diodes产品一站式供应商。