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DMN4030LK3Q-13 零件图片(仅供参考)

DMN4030LK3Q-13
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DMN4030LK3Q-13 规格参数

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗?DMN4030LK3Q-13正是为您而来的解决方案。这颗符合汽车级AEC-Q101标准的N沟道MOSFET,拥有40V耐压和9.4A的持续电流能力,其核心魅力在于超低的导通电阻(仅30毫欧),能大幅降低功率损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对汽车电子、工业控制及各类电源管理中的开关任务。优异的开关特性(低栅极电荷)确保快速响应,减少开关损耗,而宽广的-55°C至150°C工作结温范围,则赋予了它无与伦比的稳定性。选择它,就是为您的设计注入强劲动力与安心保障。

  • 型号:DMN4030LK3Q-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T\\u0026R
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):12.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):604 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.14W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • DMN4030LK3Q-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMN4030LK3Q-13 基本参数:

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