还在为复杂的双路开关设计而烦恼吗?DMN4031SSD-13双N沟道MOSFET阵列,就是为您简化设计、提升效率而生的利器。它让您轻松实现高效的能量路径控制,无论是用于电源管理还是电机驱动,都能显著降低导通损耗,提升整体系统能效。
这颗芯片能为您做什么?它凭借仅31毫欧的低导通电阻和5.2A的持续电流能力,确保在开关过程中能量损失最小化,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其逻辑电平门驱动特性,可直接与微处理器对接,让您的电路设计更加简洁高效。选择它,就是选择了一种更智能、更可靠的功率开关解决方案。
- 型号:DMN4031SSD-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):31 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):945pF @ 20V
- 功率 - 最大值:1.42W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- DMN4031SSD-13,Diodes产品一站式供应商。