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还在为寻找一颗既能节省空间又能提供强劲性能的双MOSFET而烦恼吗？DMN4031SSDQ-13就是您的理想答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个独立的40V/5.2A开关，其超低的31毫欧导通电阻能显著降低功率损耗，提升系统效率，让您的设计更节能、更凉爽。

它采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式设备、电源模块和电机驱动应用。优异的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现高速切换，同时宽广的工作温度范围确保了在各种环境下的可靠运行。选择它，就是选择了一种高效、集成且可靠的电源开关解决方案。

• 型号:DMN4031SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:945pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.42W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN4031SSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。