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DMN4034SSD-13 零件图片(仅供参考)

DMN4034SSD-13
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DMN4034SSD-13 规格参数

还在为空间有限的电路板寻找强劲又高效的“开关大师”吗?DMN4034SSD-13双N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能让您轻松驾驭高达40V电压和4.8A电流的负载,同时凭借仅34毫欧的超低导通电阻,大幅降低功率损耗,将更多电能转化为有效输出,直接提升您终端产品的能效和续航表现。

这颗芯片专为逻辑电平驱动优化,让您的微控制器可以直接、高效地控制它,简化了驱动电路设计。其快速的开关特性(栅极电荷仅18nC)确保了响应迅捷,无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关,都能实现高效精准的控制。采用紧凑的8-SOIC封装,它能完美融入各种空间受限的现代化电子设备中,是您打造高性能、高可靠性产品的得力助手。

  • 型号:DMN4034SSD-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):453pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • DMN4034SSD-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMN4034SSD-13 基本参数:

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