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还在寻找一颗能兼顾高效率与小体积的功率开关吗？DMN4035L-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地控制电流通断，其超低的42毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它拥有40V的耐压和4.6A的电流处理能力，配合SOT-23微型封装，让您能在极其有限的空间内实现强大的电源管理或电机驱动功能。无论是快速切换还是持续导通，它都能稳定可靠地工作，轻松应对从消费电子到工业控制的各种挑战，是提升产品能效和可靠性的理想选择。

• 型号:DMN4035L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN4035L-7，Diodes产品一站式供应商。