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还在为空间有限的PCB板上找不到一款强效的功率开关而发愁吗？DMN4035LQ-13正是您期待的解决方案。这颗采用紧凑SOT-23封装的N沟道MOSFET，能在高达40V的电压和4.6A的电流下稳定工作，其核心魅力在于极低的42毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它专为要求严苛的应用而设计，尤其是汽车电子领域。符合AEC-Q101标准，确保它能在-55°C至150°C的极端温度范围内可靠运行，轻松应对引擎控制、LED驱动等场景的挑战。无论是用于电机驱动、DC-DC转换，还是作为高效的负载开关，它都能让您以更小的体积，实现更强的功率控制和更高的系统可靠性，助您轻松打造更具竞争力的产品。

• 型号:DMN4035LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:574 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:720mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN4035LQ-13，Diodes产品一站式供应商。