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还在寻找一颗能兼顾高性能与小尺寸的功率开关核心吗？DMN4468LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和10A的强劲电流处理能力，其关键在于低至14毫欧的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它能在4.5V的低驱动电压下迅速响应，实现高效导通，同时其紧凑的8-SOP表面贴装封装为您节省宝贵的电路板空间。无论是用于提升便携设备的电池效率，还是强化工业控制的可靠性，它都能让您的设计轻松应对高负载挑战，稳定工作在从-55°C到150°C的广阔温度范围内，是您打造高效、紧凑、可靠电子产品的理想选择。

• 型号:DMN4468LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.95V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.52W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN4468LSS-13，Diodes产品一站式供应商。