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还在为电路中的开关损耗和发热问题头疼吗？DMN4800LSS-13正是为您而来的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它能让您的电源管理、电机驱动或负载开关电路运行得更加“冷静”且高效。其极低的导通电阻（16mΩ）意味着在通过高达9A电流时，能量损耗被大幅降低，直接为您带来更长的电池寿命和更低的系统温升。

同时，其优异的开关特性（低栅极电荷）让开关动作干净利落，显著提升转换效率与响应速度。采用紧凑的8-SOP封装，它能轻松集成到空间受限的设计中，帮助您打造更小巧、更强大的终端产品。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DMN4800LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.47 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:798 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.46W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN4800LSS-13，Diodes产品一站式供应商。