我们为全球各个行业提供Diodes DMN5040LSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率或负载开关的性能瓶颈而困扰吗？DMN5040LSS-13 N沟道MOSFET正是您期待的解决方案。它能为您高效、可靠地控制电流通断，其50V/5.2A的强劲规格和低至40毫欧的导通电阻，让您的系统损耗大幅降低，能效显著提升。

这颗芯片专为要求严苛的汽车（AEC-Q101认证）和工业应用设计，能在-55°C到150°C的极端温度下稳定工作。其优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现快速切换，减少发热和噪声。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，帮助您节省空间，简化生产。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN5040LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:836 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN5040LSS-13，Diodes产品一站式供应商。