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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的开关核心吗？DMN53D0L-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有50V/500mA的稳健规格，其核心价值在于让您能以极小的SOT-23封装空间，实现高效、可靠的功率切换与控制。

它凭借低至1.5V的栅极开启电压，能轻松被微处理器直接驱动，简化您的电路设计。同时，优异的导通电阻与低栅极电荷特性，确保了更低的能量损耗和更快的开关速度，直接助力提升您终端产品的整体能效与响应性能。选择它，就是为您的便携设备、IoT模块或电源管理单元注入一颗高效而可靠的心脏。

• 型号:DMN53D0L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN53D0L-13，Diodes产品一站式供应商。