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您是否在寻找一颗能在微型封装内提供可靠开关性能的MOSFET？DMN53D0L-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有50V的耐压和500mA的连续电流能力，让您能轻松驾驭各种低压到中压的负载控制任务，从驱动小型电机到管理LED照明，都游刃有余。

它的核心魅力在于高效。1.6欧姆的低导通电阻和仅0.6nC的低栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，能显著提升您的系统能效，减少热量积累。采用标准的SOT-23表面贴装封装，它能轻松融入最紧凑的电路板布局，为您节省宝贵的空间。

无论是智能穿戴、物联网传感器还是便携式消费电子，DMN53D0L-7都能以其稳定的性能和高效的开关特性，成为您设计中值得信赖的“高效开关”，助力您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:DMN53D0L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN53D0L-7，Diodes产品一站式供应商。