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您是否渴望为紧凑型设计注入高效、可靠的开关控制能力？DMN53D0LDW-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其逻辑电平门控、高达50V的耐压和360mA的电流处理能力，让您能轻松驱动低压微处理器直接控制的小功率负载，完美适用于空间受限的便携设备。

它卓越的电气特性包括低至1.6欧姆的导通电阻和仅0.6nC的栅极电荷意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，从而显著提升系统能效，延长电池寿命。其微小的SOT-363封装为您节省宝贵的PCB空间，让设计更自由。无论是用于电源路径管理、信号切换还是电机驱动，DMN53D0LDW-7都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），助您构建更可靠、更高效的产品。

• 型号:DMN53D0LDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46pF @ 25V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN53D0LDW-7，Diodes产品一站式供应商。