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您是否希望为您的设计找到一颗既高效又可靠的“电子开关”？DMN53D0LQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有50V耐压和500mA电流处理能力，其低导通电阻能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它采用坚固的SOT-23封装，节省空间的同时，更通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，确保从-55°C到150°C的极端温度下稳定工作。无论是用于汽车电子、便携设备还是工业控制，它都能让您轻松实现高效的负载切换与电源管理，大幅提升产品的可靠性与市场竞争力。

• 型号:DMN53D0LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN53D0LQ-7，Diodes产品一站式供应商。