还在为空间有限的电路板寻找一颗高效可靠的“开关大师”吗?DMN53D0LW-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能轻松担当起电路中的关键开关角色,凭借50V的耐压和360mA的电流处理能力,让您在小功率电源管理、信号切换或负载驱动等应用中游刃有余。
它最大的魅力在于“高效”与“小巧”的完美结合。仅2欧姆的低导通电阻能显著减少功率损耗,而微小的SOT-323封装为您节省每一寸宝贵的PCB空间。无论是用于便携设备的节能控制,还是智能模块的精准开关,它都能让您的设计更紧凑、性能更出色。选择它,就是选择了一种更优雅、更高效的电路解决方案。
- 型号:DMN53D0LW-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-323
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 270mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):45.8 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):320mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-323
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- DMN53D0LW-13,Diodes产品一站式供应商。