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还在为电路板上的空间烦恼吗？DMN53D0LW-7这款N沟道MOSFET就是您紧凑型设计的完美答案。它能在仅5V或10V的低驱动电压下高效工作，以极低的导通电阻（最低仅2欧姆）控制高达360mA的电流，显著减少功率损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更凉爽。

这颗芯片专为需要高密度布局和高效电源管理的应用而生。其超小的SOT-323封装为您节省宝贵的PCB面积，而快速的开关特性（得益于低栅极电荷和输入电容）则确保了系统的响应速度。无论是用于电源切换、负载开关还是信号调制，它都能让您的设计更加精简、高效且可靠。

• 型号:DMN53D0LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 270mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN53D0LW-7，Diodes产品一站式供应商。