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还在为空间有限的电路板寻找一颗性能强劲又小巧的开关核心吗？DMN53D0U-7 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能在高达50V的电压和300mA的电流下稳定工作，并以低至2欧姆的导通电阻，让您的电源管理或信号切换路径损耗降至最低，直接提升终端设备的能效与续航。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的电能控制与信号开关。其极低的栅极驱动需求（1.8V即可开启）和微小的栅极电荷，使其能够被绝大多数微处理器直接驱动，简化外围电路，加速您的产品开发进程。无论是用于便携设备的负载开关、电池保护电路，还是作为模拟开关或电平转换器，DMN53D0U-7都能以SOT-23封装的小身材，发挥出稳定可靠的大能量，助您打造更精巧、更高效的产品。

• 型号:DMN53D0U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37.1 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:520mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN53D0U-7，Diodes产品一站式供应商。