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您正在设计需要高效、紧凑电源开关方案的电子产品吗？DMN55D0UT-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有50V的耐压和160mA的连续电流处理能力，却能以微型SOT-523封装轻松集成。其关键优势在于极低的驱动需求（仅2.5V/4V）和仅4欧姆的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的设备更省电、运行更凉爽。

这意味着，无论是用于便携设备的负载开关、信号切换，还是精密控制电路中的功率调节，DMN55D0UT-7都能让您以更小的空间占用和更优的能效，实现稳定可靠的控制。它宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的坚韧表现。选择它，就是为您的设计选择了一颗高效、安静且值得信赖的“能量阀门”。

• 型号:DMN55D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN55D0UT-7，Diodes产品一站式供应商。