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还在为电路板上的空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN55D0UTQ-7 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它拥有50V的耐压和160mA的驱动能力，却能以极小的SOT-523封装呈现，让您轻松实现高密度布局，为产品瘦身。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至2.5V的驱动门槛和仅4欧姆的导通电阻，让您能用微控制器的GPIO口直接、高效地控制小功率负载，显著降低系统功耗与发热。无论是切换信号路径、管理传感器电源，还是驱动微型继电器，它都能提供快速、可靠的开关性能，确保您的设计精简而强大。

• 型号:DMN55D0UTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN55D0UTQ-7，Diodes产品一站式供应商。