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还在为寻找一颗既能节省空间又能高效控制的开关器件而烦恼吗？DMN5L06DMK-7正是为您量身打造的解决方案。这颗双N沟道MOSFET，拥有50V耐压和305mA的驱动能力，其逻辑电平门控特性让您能轻松地用微控制器的GPIO口直接驱动，极大简化了电路设计。

它最突出的优势在于高效与紧凑。仅2欧姆的低导通电阻能显著降低开关损耗，提升整体能效；而微小的SOT-23-6封装，让您能在极其有限的空间内实现复杂的双路开关或信号路径管理功能。无论是用于便携设备的负载开关、信号选择，还是作为传感器阵列的切换单元，它都能让您的设计更精简、运行更高效、产品更具竞争力。

• 型号:DMN5L06DMK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):305mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:400mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• DMN5L06DMK-7，Diodes产品一站式供应商。