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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN5L06DW-7这颗双N沟道MOSFET阵列，就是您紧凑型设计的得力助手。它采用超小的SOT-363封装，却集成了两个独立的逻辑电平MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松实现双路信号或小功率负载的高效切换与控制。

凭借其低至1.2V的栅极开启电压，它能被绝大多数微控制器直接驱动，省去额外的驱动电路，让您的设计更简洁、更高效。50V的耐压和280mA的电流能力，足以应对多种低压应用场景，无论是便携设备的电源管理，还是精密仪器的信号路由，它都能可靠胜任，助您快速实现稳定而精巧的电路解决方案。

• 型号:DMN5L06DW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:200mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMN5L06DW-7，Diodes产品一站式供应商。