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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？DMN5L06DWK-7-01双N沟道MOSFET阵列就是您的空间魔术师。它能在微小的SOT-363封装内，为您提供高达50V的耐压和305mA的电流处理能力，让您轻松实现高效的负载开关与信号路径管理，瞬间释放您的设计想象力。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效。极低的导通电阻与栅极电荷，意味着更少的能量损耗和更快的开关响应，直接帮助您提升终端产品的续航时间与运行速度。其宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）更能确保您的设备在各种环境下稳定可靠，让您对产品品质充满信心。

• 制造商产品型号：DMN5L06DWK-7-01
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：50V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：305mA（Ta）
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：0.4nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
• 功率-最大值：250mW（Ta）
• 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• DMN5L06DWK-7-01，Diodes产品一站式供应商。