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DMN5L06DWK-7 零件图片(仅供参考)

DMN5L06DWK-7
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DMN5L06DWK-7 规格参数

还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗?DMN5L06DWK-7就是为您量身打造的微型双通道开关解决方案。这颗芯片能为您做什么?它集成了两颗独立的N沟道MOSFET,让您仅用一颗SOT-363封装的器件,就能轻松实现信号路径选择、低功率负载切换或构成精巧的模拟开关,极大节省您的布局面积。

凭借其逻辑电平门驱动特性(阈值电压低至1V),它可以直接由3.3V或5V的微控制器GPIO口高效驱动,省去额外的驱动电路,简化设计并降低成本。50V的耐压和305mA的连续电流能力,足以应对大多数便携式和电池供电设备的应用需求。选择它,意味着您选择了更高的集成度、更优的能效和更可靠的设计,助您的产品在小型化与高性能的道路上领先一步。

  • 型号:DMN5L06DWK-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):50V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):305mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:250mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • DMN5L06DWK-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN5L06DWK-7 基本参数:

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