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还在为电路中的高效开关控制而寻找最佳搭档吗？DMN5L06K-7 N沟道MOSFET正是为您而生的解决方案。它能轻松处理高达50V的电压和300mA的电流，凭借其低至1.8V的驱动电压和仅2欧姆的导通电阻，让您的设计实现极低的导通损耗和更高的整体能效。

这颗芯片采用紧凑的SOT-23-3封装，完美适用于空间受限的便携式设备。它能在从-65°C到150°C的极端温度下稳定工作，确保您产品的可靠性。无论是用于电源管理、信号路径切换还是小型电机驱动，DMN5L06K-7都能让您的系统运行更快速、更安静、更高效。

• 型号:DMN5L06K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN5L06K-7，Diodes产品一站式供应商。