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您正在设计需要高效、紧凑电源开关方案的电路吗？DMN5L06T-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松担当起电路中的精密电子开关角色，让您用最低仅1.8V的信号就能可靠控制高达50V、280mA的负载通断。

它采用超小的SOT-523封装，能极大节省您的电路板空间，非常适合嵌入对尺寸有严苛要求的便携设备中。同时，其优异的导通电阻特性有助于减少功率损耗，提升整体能效，让您的产品运行更高效、更持久。

• 型号:DMN5L06T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN5L06T-7，Diodes产品一站式供应商。