还在为电路板上的微型开关选型而纠结吗?让DMN5L06TK-7来为您轻松解决!这颗N沟道MOSFET是专为空间受限的现代电子设备量身打造,它能高效、可靠地担当起负载开关、信号切换和功率控制的重任。
凭借仅1.8V的低驱动电压门槛,它能被绝大多数低功耗MCU轻松驾驭,实现快速响应。高达50V的耐压和280mA的电流处理能力,让您在小巧的SOT-523封装内获得强大的性能,同时其低导通电阻能有效减少功率损耗,提升整体能效。选择它,就是为您的便携式设备、可穿戴产品或物联网模块注入一颗强劲而高效的心脏。
- 型号:DMN5L06TK-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-523
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):50 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 50mA,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):150mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-523
- 封装/外壳:SOT-523
- DMN5L06TK-7,Diodes产品一站式供应商。