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您是否正在寻找一颗能大幅简化电路板布局、提升设计灵活性的微型开关解决方案？DMN5L06VA-7正是为此而生。这颗双N沟道MOSFET阵列，采用超紧凑的SOT-563封装，让您在寸土寸金的PCB上轻松实现两个独立的50V、280mA负载开关或信号切换功能，极大节省空间。

它的逻辑电平门控特性（驱动电压阈值低至1.2V）让您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，无需额外的电平转换电路，设计更简单，成本更低。低至3欧姆的导通电阻意味着更高的开关效率和更少的能量损耗，帮助您的设备运行更凉爽、更持久。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密仪器中的信号选通，DMN5L06VA-7都能让您的系统运行更加高效可靠。

• 型号:DMN5L06VA-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN5L06VA-7，Diodes产品一站式供应商。