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还在寻找能够以微小体积驱动精密电路的双路开关解决方案吗？DMN5L06VKQ-7正是您期待的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个独立的逻辑电平MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松实现双路信号或负载的高效控制，彻底告别分立器件带来的布局困扰。

它拥有50V的耐压和280mA的连续电流能力，导通电阻低至2欧姆，能显著降低开关损耗，提升系统能效。其1.2V的低阈值电压让您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，设计无比简洁。更重要的是，它采用超紧凑的SOT-563封装，并符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，无论是追求极致的便携设备，还是要求严苛的汽车电子应用，它都能让您的设计更可靠、更高效、更省空间。

• 型号:DMN5L06VKQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:250mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN5L06VKQ-7，Diodes产品一站式供应商。