我们为全球各个行业提供Diodes DMN5L06W-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电路板上的空间捉襟见肘，却又需要一颗可靠的功率开关而发愁吗？DMN5L06W-7就是为您解忧的完美答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，专为空间和能效敏感的应用量身打造。

它能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载切换与信号控制。凭借50V的耐压和280mA的电流能力，它能稳健处理多种低压任务。最关键的是，其低至1.8V的驱动门限，让您可以直接用微控制器的GPIO口来驱动，省去额外电路，设计变得异常简洁。同时，SOT-323的超迷你封装，为您释放出宝贵的PCB面积，让产品设计更纤薄。

无论是便携设备的电源管理，还是传感器模块的开关控制，DMN5L06W-7都能以出色的性能和极小的体积，助您打造更高效、更紧凑的电子产品。选择它，就是选择了一种简单而可靠的设计哲学。

• 型号:DMN5L06W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.7V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 200mA，2.7V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN5L06W-7，Diodes产品一站式供应商。