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还在为小空间内的功率控制难题寻找解决方案吗？DMN5L06WK-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET是专为高效、紧凑型应用而生的微型开关专家。

它能让您轻松实现低电压（最低1.8V）驱动，完美匹配现代微控制器，直接控制高达50V、300mA的负载。其极低的导通电阻（典型值2欧姆@5V）意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。超小的SOT-323封装为您节省宝贵的电路板空间，是便携设备和高密度模块化设计的理想选择。

无论是用于电源管理、信号切换还是负载驱动，DMN5L06WK-7都能以出色的性能和可靠性，助您简化设计、提升能效，让产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMN5L06WK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN5L06WK-7，Diodes产品一站式供应商。